ダ▪▪オ▪▪ド

逆電圧: 650v

．.．復帰時間の短縮により，高速ス。特徴温度依存性を低減高速ス……

逆電圧: 650v

．.．復帰時間の短縮により，高速ス。特徴温度依存性を低減高速ス……

逆電圧: 650v

．.．復帰時間の短縮により，高速ス。特徴温度依存性を低減高速ス……

dc電圧: 5.35 v - 13.8 v

入力電圧が高く,ダイオード電流が大きい場合でも,出力電圧クランピング機能を向上リテルヒューズのPolyZenデバイスは,ポリマー強化型の高精度ツェナーダイオードの微細組立部品です。このデバイスの高度な特徴は,ツェナーダイオードが非線形抵抗のPPTC(ポリマー正温度係数)層に熱結合されている点です。このPPTC層はデバイスと完全に統合され,VINとダイオードクランプ输出电压間で電気的に直列になっています。またこのデバ▪▪▪▪スは，複数ワット機器の障害事象に対し，復帰型保護を提供します。複数ワット機器用のヒ，トシンクは不要です。PolyZen……

このシリコンカーバイド(原文如此)ショットキーダイオードシリーズは,逆回復電流が極めて小さく,高サージ対応,最大動作接合部温度175°Cで°効率,信頼性,熱管理の改善が必要なアプリケーションに最適です。特長:AEC-Q101適合安全な動作と簡単な並列接続を可能にする正温度係数最高175°Cの動作接合部温度優れたサージ性能超高速,温度非依存のスイッチ挙動Siバイポーラダイオード比でスイッチングロスを大幅に低減……

逆電圧:最大650.0 V

このシリコンカーバイド(原文如此)ショットキーダイオードシリーズは,逆回復電流が極めて小さく,高サージ対応,最大動作接合部温度175°Cで効率,信頼性,熱管理の改善が必要なアプリケーションに最適です。特長:AEC-Q101適合安全な動作と簡単な並列接続を可能にする正温度係数最高175°Cの動作接合部温度優れたサージ性能超高速,温度非依存のスイッチ挙動Siバイポーラダイオード比でスイッチングロスを大幅に低減アプリケーション:……

dc電圧: 5、20、12、7 v

．.．特性高速ターンオン低クランプ電圧高防静电耐電圧Uni -または双方向保護小型パッケージエポキシ難燃性UL94 V-0アプリケーション直流電源USB電源デリバリー(PD)ヘッドセットやアクセサリーPDAデジタルカメラMP3プレーヤータッチパネルノートブックPC EN 61000-4-2 - 8千伏接点放電に準拠したESD, EFT,およびサージ保護ESD保護- 15千伏空気放電……

dc電圧: 5、3.3 v

．.．特性低クランプ電圧頑丈な設計簡単なレイアウトのための非常に低静電容量フロースルーデザインレール保護エポキシ難燃性UL94-V0 RoHS,达到およびハロゲンフリーアプリケーション非常に高速データラインUSB 2.0イーサネット坡VGA SIMカードキーパッド……

逆電圧: 650v

．.．1.アプリケーション•力率補正•ソーラーインバータ•無停電電源•直流-直流コンバータ2。特長(1)第2世代のチップ設計。(2)高サージ電流能力:IFSM = 79(最大)(3)接合容量が小さい:Cj = 36 pF(標準)(4)逆電流が小さい。赤外線 ...

．.．RHRP15120は,ソフトリカバリ特性(trr < 65 ns)を備えた非常に高速なダイオードです。超高速ダイオードのリカバリ時間の半分で,窒化ケイ素不動,イオン注入,エピタキシャル平面構造を実現します。これは,さまざまなタイプのスイッチング電源および他のパワー・スイッチング装置において,フリーホイール,クランプダイオードおよび整流器として最もよく使用されます。また,最小限に保存された電荷と超高速のソフトリカバリにより,さまざまなパワースイッチング回路の電気的ノイズを低減する場合にも有用です。.．.

dc電圧: 30v ~ 200v
逆電圧: 0.4 v ~ 0.9 v

．.．革新的な新製品を発表します。stの自動車グレドのダオドは，確かに優れた製品の1です。これは，多数のアプリケ，ションや設計コンセプトに対応するように設計されています。ダイオードはAEC-Q101規格に適合しており,多くの自動車機能で使用される直流-直流コンバータを対象としています。主な目的は，-40℃と+ 150℃の接合温度での動作です。与えられた整流器。また，特別なスクリ，ニングマトリックスも備えています。誰にとっても絶対必要です。.．.

dc電圧: 1.5 v ~ 3v
逆電圧: 360 v ~ 1250 v

．.．ルネサスのダイオードは,軽量で小型のモバイル機器の最適な性能をサポートするように,発明された設計と製造を行っています。これらのダイオードは,サージ吸収と電圧検出を基準にして,わずかな電源の場合の電圧安定化の供給にも適しています。これらのダオドは，低い静電容量で高周波をサポトし，低いオン抵抗と共に損失を低減します。これらは,高速の逆回復時間と共に低順方向電圧で動作する高性能な機器であるため,高速リカバリダイオードとして適切に知られています。したがって，デバ。.．.

．.．特徴•高サージ電流能力•スタッドカソードおよびスタッドアノードバージョン•広い電流範囲•最大1200 V VRRMタイプ•産業および民生レベル向けに設計および認定済み•材料の分類:コンプライアンスの定型アプリケーション•バッテリ料金•コンバータ•電源•工作機械制御……

．.．Noisecomのノイズ・ダイオードは,アナログ・ノイズ・システムの基本的なビルディング・ブロックです。これらのデバイスは,広帯域ノイズ出力とフラットなスペクトル応答を向上させる性能特性のために分類されています。すべてのNoisecomノイズ・ダイオードは,対称的な白色ガウス・ノイズと周波数に対してフラットな出力電力を供給できます*。クイック機能*ご要望に応じてカスタム電気試験が可能*カスタム構成による幅広いパッケージ品種*オーディオおよび射频アプリケーション用のNC100および200シリーズ……

逆電圧: 20v ~ 2000v

概要携帯デバイスによる通信,コンピュータ,およびビデオ機器の市場によって,半導体産業は,ますます小型化する電子部品を開発することを要求されています。今日,小型電子システムの設計者は,基板面積の制約に悩まされており,代替パッケージング技術の必要性が高まっています。機能の統合と小型化が成功の鍵なのです!この小型化の動きを支援するために,最小限のパッケージング費用でシリコンダイオードを備える機能をもたらす新世代チップダイオードが柏恩斯から登場しました。小信号の…

逆電圧: 200v ~ 1000v

．.．説明:sod - 123 f表面実装パッケージの高電流密度整流器の中央セミコンダクターCMMR1シリーズは,あらゆるタイプの商用,産業用コンピュータ,車載アプリケーション向けに設計されています。.．.

．.．構成:双方向の説明:1500 W、100 v, 10%,双方向,电视ファミリ:电视IPP (A): 10.9红外(µ):1 PPK (W): 1500年パッケージ:做- 201ステータス:アクティブTJマックス。(°C): 175許容誤差±(%):最大10 VBR (V): 110年VBRの最小(V): 90年VBRノム。(v): 100vクランプ(v): 144 VWM (v): 81…

dc電圧: 0.23 v ~ 1.18 v
逆電圧: 2v ~ 250v

．.．低損失および高電流ショットキダオドおよび整流器。.．.

dc電圧: 12v
逆電圧: 12kv

．.．製品の特徴低漏れ，耐衝撃性，雪崩破壊保護など小型で取り付けが簡単で，自動生産に適しています。3.国際規格に準拠した高速スesc escッチング特性，環境保護プロセス設計。.．.

．.．高電圧アセンブリ応用電力システムは,広範なアプリケーション向けに一連の高電圧パルス・パワー・スタック・アセンブリを生成します。当社のハイパワー半導体スタック,熱管理システム,高電圧可控硅発射カード,光ファイバインターフェースを活用し,さまざまな構成と出力電流容量で4 kvから68千伏までの単相および多相半導体スイッチアセンブリを製造しています。これらの半導体ベスの高電圧スッチは，代替スッチ技術と比較して性能と信頼性を向上させます。apsから入手可能な標準高電圧パルス·パワ·アセンブリのサンプルを以下に示します。.．.

逆電圧: 600v

．.．説明Qspeed™ダオドは，シリコンダオドの中で最も低いQRRを持っています。これらの回復特性は，効率を高め，emiを低減し，スナバを排除します。製品の特長- 263 (D2PAK)パッケージで入手可能な機能低QRR,低IRRM,低tRR高dIF / dt対応(1000 /µs)ソフトリカバリの利点により効率が向上スナバ回路の必要性を排除EMIフィルタ部品サイズと個数を削減スイッチングアプリケーション力率補正(PFC)昇圧ダイオードモータ駆動回路直粱インバータ……

逆電圧: 200v, 1600v

．.．特長ガラス不動態化チップ高サージ機能絶縁電圧最大1600 vスタッドカソードおよびスタッドアノードバージョン広い電流範囲RoHSアプリケーションに準拠バッテリーチャージャーコンバータ電源工作機械制御……

dc電圧: 0.38 v - 0.95 v
逆電圧: 20v ~ 200v

．.．1000 v ~ 20000 vの逆スタンドオフ電圧範囲0.2 ~ 0.75の平均順方向整流電流範囲……

dc電圧: 10v ~ 18v

．.．daシリズ—ディスクおよびスタッド設計のアバランシェダオド。アバランシェダイオードは,指定された逆バイアス電圧で分解して伝導するように設計されたダイオードです。当社のダイオードの特長:•半導体素子の直径:24 ~ 80毫米•実証済みの品質•公称電流:200 - 5000 a•業界標準設計•広範かつ一般的なデバイスタイプ•サーマルサイクリング機能と耐久性の向上•パワー端子の超音波溶接相互接続•真空はんだ付け•プレススパック構造によるサイクリング負荷に対する高い耐性•……