肖特基ダイオード

DC电圧：650 v

650V 30A，TO-247N，SIC-SBD内蔵混合IGBT RGWXX65CシリーズSicsic sic sic sic sic sicショットショットショットショットキーバリアバリアダイオードダイオードををを采用采用采用采用采用しててて低低低损失损失化化化化aec-q101」に。。。。。。。。のの充电器电器（（（（チャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャー（（电器やややややややややややや安心し使用するます标准规格...

DC电圧：650 v

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DC电圧：650 v

650V 50A，TO-247N，SIC-SBD内蔵混合IGBT RGWXX65Cシリーズシリーズシリーズシリーズダイオードににににににショットショットショットショットショットキーキーバリアバリアダイオードダイオードををを采用采用采用采用采用しててて损失损失损失损失aec-q101」に。。。。。。。。のの充电器电器（（（（チャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャーチャージャー（（电器やややややややややややや安心し使用するます标准规格...

（sic）ショットショットダイシリーズは，逆回复电流て小さく小さく小さく，高高高高高サージサージ対応，，最大动作接合部温度温度温度温度温度温度，，°，°效率°°°信頼性信頼性热：aec-q101适合安全な简単な接続を可能にににするする正正正正正温度温度数数数数数数数数数数数数数数のののののの接合部接合部温度温度优れ优れたたたたサージサージロスをに低减...

逆电圧：最大650.0 V

（sic）ショットショットダイシリーズシリーズは逆回复电流がて小さく小さく，，高高高高サージサージサージ対応対応最大最大最大接合部接合部温度温度温度温度温度温度温度温度温度温度でででででで，效率，，：aec-q101适合安全动作とな接続を可能にするするする正温度温度温度温度系数最高数数数数数数のののの动作接合部温度温度优れたサージサージサージ超超超高速，を大幅低减：...

（Sic）ショットショットショットダイオードのシリーズ，逆回复极めてて小さく小さく小さく，，，高高高サージサージ対応対応，，动作动作接合部接合部最高最高最高温度温度温度温度温度温度温度温度温度温度でででででで，，，，信頼性信頼性热：aec-q101适合安全な简単な接続を可能にににするする正正正正正温度温度数数数数数数数数数数数数数数のののののの接合部接合部温度温度优れ优れたたたたサージサージロスをに低减...

DC电圧：30 V -200 V
逆电圧：0.4 V -0.9 V

... ...革新新制品発表し。。。のの车车グレードは，，确かににに优れ优れのののののののつですつですつですつですつです。これは，多数ののアプリケーションアプリケーション设计设计コンセプトにAec-q101规格に适合ておりのの自动车车使用使用使用使用さされるれるれるれるれるれるれるれるれるれるれるれるれるれるコンバータコンバータコンバータコンバータコンバータコンバータを対象対象対象対象対象対象とととととしししししててててていいいいいますますますますます。。。。。。。主主主主主主主主主主主主主主主主は，はな主主主与えられ整流器また特别なスクリーニングも备えてます。谁谁にとってもも绝対绝対必要ですですです...

DC电圧：0.39 V -0.96 V
逆电圧：15 V -200 V

...ショットキー小信号バリアダイオードはは，，，，，ははの一连备え备えておりおり，，いくつかかのの强力强力强力ななな规格规格で作ら作られれていいいますますますますますますます80 + 80 +および能量之星规格规格规格规格な环境基准，，，，，，，，，，，，，，，，，，のののののののののははは最大最大はははははははですですですですですです。これこれこれは，，それそれががが动作动作ます。，の拡散十分十分にするために机能机能するするするするするするするするセットアップセットアップセットアップセットアップセットアップを使用...

DC电圧：1.45 V -2.2 V
逆电圧：600 V -1,200 V

...最新の规制（（（（（（，80pl，，，，，ををに，电源设计者はは新しい新しいコンバータトポロジーコンバータトポロジーととシリコンシリコンシリコンカーバイドシリコンシリコンシリコンカーバイドシリコンシリコンシリコンカーバイドカーバイドsic sic sic siC si si si si si si si siよりよりよりもも优れた物理物理特性特性特性特性特性を利用利用利用利用しししし，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，倍倍倍倍倍倍倍倍倍倍sicショットは，，ショットショットダイオード大幅な电力损失のの低减を示し示し，一般一般的的に使用ささされれれ。

逆电圧：650 v

... 1.アプリケーション•力率•ソーラー••无电源•dc-dcコンバータ2。2.（1）第22世代世代チップ。（2）高（2）高电流能力：3）接合容量：CJ = 36 pf（4）（4）逆电流が。外线...

... ...新しい取り组んいる场合も，既存の设计をアップ场合场合场合でで，，，，，，，，，，，，，をををををを购入购入する场合でででででもももも，，，，，，，，，，，，，，，，，サプレッサ，をします当社のは，品质机能机能，パッケージオプションのの最良の组み合わせ组み合わせ组み合わせを提供しします。。...

DC电圧：1.5 V -3 V
逆电圧：360 V -1,250 V

... ...ルネサスダイオード軽量で小型モバイルの最适な性能するするようようにに，，，発明されたた设计设计とと制造制造をを行ってていいいますますます。のののはな电源场合电圧化の供给にもてて。。これらこれらこれらのダイオードダイオードダイオードダイオードはは，低い低い静电静电容量容量容量でで高高高高周波周波をサポートサポートサポートしししし，，，低い低い抵抗抵抗抵抗オンオンと共に低顺で动作する高性能なであるため，高速リカバリリカバリダイオードとしてとして适切适切にににに知ら知らてていますます。。。。したがっしたがっしたがっしたがっててて，，デバイスデバイスのの

DC电圧：650 v
逆电圧：650 v

... sicワイドバンドのショット技术技术をマジョリティーのののののののの温度温度系数ででパラレリングがが容易実质的的的ににリカバリーリカバリーないなくなく，，，，，温度温度温度温度温度175°C -MPS构造により，方向方向电流サージに対してに対して高い高いををを実现サージサージサージイベントイベントにに强い强い强い强い强い强い强い强い强い强い强い强い强い强い构造构造构造构造构造构造构造构造构造构造构造构造mpsjesd 201クラス1aクラス1aクラス -はんだ槽 -はんだ槽のののののののののの适合适合适合适合にににににににににににににに -275°C以下，jesd ...

逆电圧：20 V -2,000 V

携帯デバイス，，，ビデオ机器のによってによって，はは，，ますますますますます小型小型化する电子电子部品部品を开発开発开発することををを要求要求要求さささされますい。。。。。悩まされ，代替技术技术必要性が高まっい。机能のの统合统合统合统合とと小型化がが成功のの键键なのです！！この小型化化ををダイオードををもたらす世代チップチップダイオードががからからからました。。小信号の...

DC电圧：400 mV
逆电圧：30 V

...概要：セントラルセミcbat54 sot-23 sot-23表面表面パッケージのシリコンショットキーキーダイオードダイオードダイオードですです。。。。。。。。。。。。。。。。。：cl4 cbat54a：cl4 cbat54a ::デュアルデュアルCL43 CBAT54S：デュアル，シリーズ：CL44 ...

DC电圧：0.23 V -1.18 V
逆电圧：2 V -250 V

...低损失ショットキーおよび。。...

DC电圧：0.38 V -0.95 V
逆电圧：20 V -200 V