高電圧ダ▪▪オ▪▪ド
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dc電圧: 17v ~ 64.5 v
逆電圧: 10v ~ 40v
Tlpaシリ,ズは,信頼性の高い工業規格p600に準拠したアキシャルリ,ド型パッケ,ジ。高精度の電子機器を過電圧から守ります。特長:•信頼性の高いアプリケーション•P600パッケージ内でガラスパシベーションされたチップジャンクション•高速応答時間:最低0ボルトからVBR分で通常1.0 ps未満•優れたクランプ機能•通常の故障モードは規定を超える電圧や電流による短絡•电平JESD201A……

dc電圧: 13.3 v ~ 135v
逆電圧: 12v ~ 110v
8.0 smdj高電圧电视ダイオードソリューションは,コンパクトな做- 214 ab SMCパッケージに8000 wのピークパルス電力消費定格を備えています。特長:•10/1000μs波形で8 kwのピークパルス容量,優れたクランプ機能,高精度の電気機器に対する電圧過渡からの強力な保護により信頼性を向上•高出力密度,コンパクトなロープロファイル做- 214 abパッケージ。•コンパクトな表面実装パッケジ(smt)により基板スペスを最適化…

dc電圧: 6.4 v
逆電圧: 533 v
TPSMBシリーズの製品はAEC-Q101に適合しており,自動車用アプリケーションに使用可能です。TPSMBシリーズの电视ダイオードは,高精度の自動車やその他の電子機器に対して,負荷遮断や他の電圧過渡現象による電圧過渡からの補助的な過渡電圧保護を提供します。AEC-Q101に適合しているため,I / Oインターフェース,VCCバスおよび自動車用アプリケーションに使用されるその他の脆弱な回路の保護に最適です。特長:信頼性の高いアプリケ,ションと自動車用グレ,ド…

dc電圧: 1.45 v ~ 2.2 v
逆電圧: 600v ~ 1200v
...最新の厳しい効率規制(能源之星,80 +,欧洲效率)を満たすために,電源設計者は新しいパワーコンバータトポロジーと,高電圧シリコンカーバイド(原文如此)ショットキー整流器などのより効率的な電子部品の使用を検討する必要があります。STs SiCダイオードは,如果よりも優れた物理特性を利用し,4倍の動的特性と15%の順方向電圧VFを備えています。ハイエンドのサーバや通信電源などのハードスイッチングアプリケーションでは,SiCショットキーダイオードは大幅な電力損失の低減を示し,一般的に使用されます。...

...特徴•高サージ電流能力•スタッドカソードおよびスタッドアノードバージョン•広い電流範囲•最大1200 V VRRMタイプ•産業および民生レベル向けに設計および認定済み•材料の分類:コンプライアンスの定型アプリケーション•バッテリ料金•コンバータ•電源•工作機械制御……

逆電圧: 200、400、600、800v
...説明:セントラルセミコンダクターCMMR1Uシリーズは,高品質の1.0表面実装シリコン整流器で,商業,産業,エンターテイメント,コンピュータ,および自動車のすべてのタイプのアプリケーションで使用するために設計された信頼性の高いコンポーネントです。sod-123fケスは,smaよりもボドスペスが58%少なく,67%低いプロファルです。特徴:•フラットリード設計とクリップアセンブリにより,より大きなダイサイズと熱効率を実現•低コスト……
中央半导体

dc電圧: 12v
逆電圧: 12kv
...製品の特徴低漏れ,耐衝撃性,雪崩破壊保護など小型で取り付けが簡単で,自動生産に適しています。3.国際規格に準拠した高速スesc escッチング特性,環境保護プロセス設計。...
鞍山Leadsun电子有限公司

dc電圧: 0.38 v - 0.95 v
逆電圧: 20v ~ 200v
...1000 v ~ 20000 vの逆スタンドオフ電圧範囲0.2 ~ 0.75の平均順方向整流電流範囲……
前沿电子公司

dc電圧: 25v ~ 550v
逆電圧: 20kv - 450kv
鞍山苏利电子有限公司
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