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dc電圧: 5.35 v - 13.8 v

入力電圧が高く,ダイオード電流が大きい場合でも,出力電圧クランピング機能を向上リテルヒューズのPolyZenデバイスは,ポリマー強化型の高精度ツェナーダイオードの微細組立部品です。このデバイスの高度な特徴は,ツェナーダイオードが非線形抵抗のPPTC(ポリマー正温度係数)層に熱結合されている点です。このPPTC層はデバイスと完全に統合され,VINとダイオードクランプ输出电压間で電気的に直列になっています。またこのデバ▪▪▪▪スは，複数ワット機器の障害事象に対し，復帰型保護を提供します。複数ワット機器用のヒ，トシンクは不要です。PolyZen……

dc電圧: 12v

SP1003シリーズの製品はすべてAEC-Q101に適合しており,自動車用アプリケーションに使用可能です。独自のシリコンアバランシェ技術によって生産されるツェナーダイオードは,各I / Oピンを保護することによって,有害な静電気放電(ESD)を起こす可能性のある電子機器に優れた保護を提供します。これらの堅牢なダイオードは,パフォーマンスを低下させることなく,IEC 61000-4-2で規定されている±30 kvの連続的なESDストライクを安全に吸収することができます。……

．.．特長•プラスチックパッケージには,アンダーライターラボ可燃性の分類94 V-0•表面実装アプリケーション用•ガラス不動化チップ接合•低ツェナーインピーダンス•低レギュレーション係数•高温はんだ付け保証:端子部で250°C / 10秒•準拠ロハス指令2002/95 / ECに準拠します。.．.

dc電圧: 12v ~ 51v
逆電圧: 8v ~ 40.8 v

．.．•平均消費電力:P = 2 w•ツェナー電圧:VZ = 12 ~ 51 v•表面実装パッケージ“M−FLATTM”(東芝パッケージ名)のため,コンパクトアセンブリに最適……

dc電圧: 2.4 v ~ 75v

．.．MM3Z2V4B-MM3Z75VBツェナーダイオードは,2.4ボルトから75ボルトの幅広いツェナー電圧範囲を備えています。これらのデバスはまた，プラスまたはマナス2%のvz許容値を持っています(bシリズ)。これらは非常に小型で薄いsmdパッケ，ジで入手可能で，艶消しスズ仕上げで鉛フリ，です。.．.

dc電圧: 1.5 v ~ 3v
逆電圧: 360 v ~ 1250 v

．.．ルネサスのダイオードは,軽量で小型のモバイル機器の最適な性能をサポートするように,発明された設計と製造を行っています。これらのダイオードは,サージ吸収と電圧検出を基準にして,わずかな電源の場合の電圧安定化の供給にも適しています。これらのダオドは，低い静電容量で高周波をサポトし，低いオン抵抗と共に損失を低減します。これらは,高速の逆回復時間と共に低順方向電圧で動作する高性能な機器であるため,高速リカバリダイオードとして適切に知られています。したがって，デバ。.．.

逆電圧: 1v

．.．説明:セントラルセミコンダクタBZV55C2V4シリーズは,商業,産業,エンターテイメント,コンピュータ,車載のすべてのタイプのアプリケーションで使用するために設計された,高品質で信頼性の高いシリコンツェナーダイオードです。マ，キング:カソ，ドバンド。.．.

dc電圧: 1.8 v ~ 200v

dc電圧: 3.3 v ~ 39v

dc電圧: 3.3 v ~ 330v

．.．ツェナーダイオードは,電流が順方向に流れることを可能にする独自のタイプのダイオードであり,電圧が一定の値を超えると電流が逆方向に流れることを可能にします。この分解電圧は，ェナ電圧(vz)と呼ばれます。非ツェナーダイオードでは,ツェナー電圧が高く,ZVを超える逆電流が通過すると,ダイオードは永久に損傷します。ツェナー・ダイオードは,ZVがはるかに低い値になるように設計されているため,ツェナー電圧を超える逆電流が通過してもダイオードを損傷しない制御された故障が可能です。.．.