グリッドドラeconf econfバ

C044BG400 IGBTゲートドライバは,VCE不飽和検出機能を基板に搭載した低消費電力ドライバで,高い信頼性が求められるアプリケーションに適しています。ドライブ,ステータス,スイッチングのフィードバック信号に対応する光ファイバー通信インターフェースを備えています。完全に管理されたDC / DCコンバータは,EMIフィルタリング機能,低結合容量,高部分放電レベルといった特徴が一つの基板に統合されています。高電圧コレクタセンサとゲト，igbt…

．.．圣パワーMOSFETおよびIGBTドライバは,低電圧および高電圧ハーフブリッジを内蔵したシングルおよびマルチゲート・ドライバを備えています。MOSFETおよびIGBTドライバはハイテク統合を可能にし,BOMコストとアプリケーションの寸法を低減します。それは，その騒音耐性と頑丈さを増加させます。.．.

ライブ・バックプレーンへの安全なボード挿入を実現広い動作電圧範囲:2.9 v ~ 15 v確認済み安全動作領域:7.5 w√S電流検出素子付きの1.2ΩMOSFET±4%電流モニタ出力調整可能な電流制限閾値温度モニタ出力過熱保護故障になるまでの調整可能な電流制限タイマーパワー・グッド出力と故障出力調整可能な突入電流制御精度±2.5%の低電圧および過電圧保護36ピン(5毫米×8毫米)QFNパッケージを採用LT4200は,ライブのバックプレーンからの安全なボード着脱を可能にする,ホット・スワップ・アプリケーション用の統合化されたソリューションです。このデバイスは,小さいフォーム・ファクタのアプリケーション向けの1つのパッケージに,ホット・スワップ・コントローラ,パワーMOSFET,および電流検出抵抗を内蔵しています。MOSFETの安全動作領域は出荷テストが行われており,ホット・スワップ・アプリケーションのストレスに耐えられることが保障されています。lt4200は，最大85°cの周辺温度において，50aでの連続動作が可能です。独立した突入電流制御と,精度で57±12%の電流制限(出力に依存したフィードバック付き)を提供します。電流制限閾値は，isetピンを使用して動的に調整できます。追加機能として,グラウンドを基準とした電流検出のための電流モニタ出力とMOSFET温度モニタ出力があります。熱制限，過電圧，低電圧，およびパワ·グッド·モニタリングも提供します。高可用性サバソリッド·ステト·ドラ

．.．IGBT、MOSFETゲートドライブフォトカプラシリーズは,高速スイッチング仕様を提供し,設計者はより小さなlteを使用できるため,システム全体の消費電力を削減できます。これらのデバイスは,ソーラーインバータ,モータ駆動および誘導加熱アプリケーションで見つけることができます。仙童フォトカプラは,クラス最高のコモンモード除去(CMR)を提供し,アプリケーションはノイズに対する耐性を高めます。このデバスは，パルス幅歪みと電力効率の向上により，1200v…

．.．max25615は，車載アプリケション向けの高速mosfetドラicです。このドラこのドラ，7aをシンクし，3aのピ，ク電流をソ，スすることができます。このICはMAX5048デバイスよりも強化されており,MOSFETの制御においてより大きな柔軟性を提供する反転入力および非反転入力を備えています。また,コンプリメンタリ・モードで動作する2つの別々の出力を備えているため,ターンオンとターンオフの両方のスイッチング速度を柔軟に制御できます。このicは，出力状態変化時のシュを防止する内部ロジック回路を備えています。.．.

．.．アナログ・デバイセズの絶縁型ゲート・ドライバのポートフォリオは,フォトカプラやパルス・トランスを使用した設計に比べて,設計者の性能と信頼性に優れています。アナログ・デバイセズの実証済みのiCoupler®技術を利用した絶縁型ゲート・ドライバ・ファミリーは,50 nsの最大伝搬遅延,5 ns未満のチャンネル間マッチング,400 v rmsの動作電圧に対する50年の寿命,ガルバニック絶縁という利点を単一パッケージで提供します。.．.

．.．以下のバジョンがあります。標準版カスタムメイドソリューション建物前面アップグレード限られたスペースと高頻度の使用に対応するために特別に設計されたスイングゲート/ドア駆動装置です。幅広い機能により，ドアやゲ，トを個別に自動化することができ，適用される規格にも適合しています。ギルゲンドアシステムは,お客様の建設プロジェクトまたは既存施設の改修に最適なドア/ゲート設計の選択と実装を喜んでお手伝いいたします。.．.

．.．硅实验室ISOdriver製品ファミリは,より良いタイミングマージン,温度および時間にわたる堅固な動作,および比類のないサイズおよびコスト面での優位性を実現する超高速な伝搬遅延を提供します。絶縁定格は1,2.5,3.75および5.0kVがあります。ドライバ間の耐電圧は±1500 vdcでドライバは同じグラウンドまたは別のグラウンドに接地することも,浮遊電圧に接続することもできます。.．.

．.．機能説明LH1262CB, LH1262CAC光起電力MOSFETドライバは,2つのフォトダイオードアレイに光結合された2つの领导で構成されています。フォトダイオードアレイは,高電力MOSFETトランジスタを駆動するのに十分な電圧と電流を備えたフローティングソースを提供します。光結合は，高いi / o絶縁電圧を提供します。Mosfetをオフにするには，ゲト放電に外付け抵抗(ゲト-ソス間)が必要です。特徴•高開回路電圧•高短絡電流•…

．.．ローサイド,ハイサイド,ハーフブリッジ駆動回路用のMOSFETドライバおよびIGBTドライバ……

．.．部品番号L5009002製品ステータス実稼働中のハウジングプラグアンドプレイスイッチ3レベルVCE528 IoutPEAK(-)…

特に3 ~ 5 MWの範囲における洋上風力タービン用途向けのEconoDUALモジュール用デュアルプラグアンドプレイゲートドライバSCALE-iFlex LTデュアルプラグアンドプレイゲートドライバは,複数の並列EconoDUALモジュールの性能を20%改善し,パワーインバータ及びコンバータスタックから6個のモジュールのうち1つを不要にします。最大6個のEconoDUAL 3または同等のパワーモジュールを,従来製品よりも小型形状で同じ……

．.．bap - 1551ハーフブリッジIGBTドライバゲートドライブボードアプリケーションノートとデータシートの特徴•ハーフブリッジ回路の駆動に必要なすべての電力が含まれています•短絡および過電流保護•過電圧および低電圧ロックアウト保護•過温度保護•直流リンク電圧センシング•I / Oコネクタから入手可能な保護およびセンシング情報のフルセット•内蔵デッドタイム生成bap - 1551絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)ゲートドライブボード(GDB)はこのデータシート/アプリケーションノートで説明されている安全で信頼性の高い絶縁型を提供します制御ロジックとIGBTベースのパワー段との間のインターフェースです。.．.

．.．ymh-hhシリズは，表面実装に適した，小型で高性能な光絶縁型ゲ。既存の絶縁型ゲートドライバーとは異なり,YMH-HHシリーズは,シリコンベースのMIH™垂直多接合太陽電池に光学的に結合された砷化镓発光ダイオードで構成されており,MOSFETなどのパワー半導体デバイスを駆動するための電圧絶縁された電力を供給します。YMH-HHシリーズのゲートドライバーモジュールは,従来の絶縁型電源,直流-直流コンバーター,ゲートドライバーICの機能を1つのコンポーネントで実現しています。完全に光学的に絶縁され,電源が供給されるこの統合されたソリューションは,ゲートドライバの設計を簡素化し,優れた耐ノイズ性を提供し,基板サイズとコストを削減し,より高い電圧絶縁を実現します。YMH-HHシリーズの特徴絶縁型DC / DC電源を内蔵低電圧誤動作防止回路内蔵電源結合容量の低減パッケージは以下の通りです。8ピンdfn ymh-hhシリズのアプリケション。MOSFET和IGBTゲートドライバスイッチモード電源インバータ/コンバータモータ駆動モジュール可変周波数ドライブ……

．.．A3946は,高出力の単方向直流モータ,三相ブラシレス直流モータ,またはその他の誘導性負荷を必要とするアプリケーション向けに特別に設計されています。A3946は,幅広いパワーNチャネルMOSFETをドライブできる2つの高電流ゲートドライブ出力を提供します。ハイサイド・ゲート・ドライバは負荷への電流を制御するNチャネルMOSFETをスイッチングし,ローサイド・ゲート・ドライバは同期整流器としてNチャネルMOSFETをスイッチングします。.．.

．.．ZXGD3001E6は,最大12 vの電源電圧からMOSFETまたはIGBTゲート容量性負荷に最9大をドライブできる高速非反転シングルMOSFETゲート・ドライバです。典型的な伝播遅延時間は3 nsまで,立上がり/立ち下がり時間は11 nsまで,このデバイスはパワーMOSFETまたはIGBTの迅速なスイッチングを保証し,大電流高速スイッチング・アプリケーションにおける電力損失と歪みを最小限に抑えます。ZXGD3001E6は本質的にラッチアップおよびシュートスルーに対して堅牢であり,その広い電源電圧範囲により,パワーMOSFETまたはIGBTのオン損失を最小限に抑えるための完全な拡張が可能です。.．.